Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 119 A, 40 V, 3-Pin TO-252

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N° de stock RS:
217-2623
Référence fabricant:
IRFR4104TRPBF
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

119A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

TO-252

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

5.5mΩ

Maximum Power Dissipation Pd

140W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

89nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

6.73mm

Standards/Approvals

No

Height

6.22mm

Automotive Standard

No

The Infineon HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

Advanced Process Technology

Ultra Low On-Resistance 1

75°C Operating Temperature

Fast Switching R

repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax L

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