Vishay Si2329DS Type P-Channel MOSFET, -6 A, -8 V, 3-Pin SOT-23
- N° de stock RS:
- 256-7346
- Référence fabricant:
- SI2329DS-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
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|---|---|---|
| 3000 + | 0,234 € | 702,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 256-7346
- Référence fabricant:
- SI2329DS-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -6A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -8V | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Series | Si2329DS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.12Ω | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 19.3nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 5 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2.5W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Length | 3.04mm | |
| Height | 1.12mm | |
| Width | 1.4 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -6A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -8V | ||
Package Type SOT-23 | ||
Series Si2329DS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.12Ω | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 19.3nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 5 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2.5W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Length 3.04mm | ||
Height 1.12mm | ||
Width 1.4 mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay Semiconductor P-channel 8 V 6A (Tc) 2.5W (Tc) surface mount SOT-23-3 (TO-236) halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition.
TrenchFET power mosfet
100 % Rg tested
Compliant to RoHS directive 2002/95/EC
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