Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 2.2 A, 80 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2337DS-T1-GE3

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 paquet de 20 unités)*

18,08 €

(TVA exclue)

21,88 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • 9 660 unité(s) expédiée(s) à partir du 23 mars 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
20 +0,904 €18,08 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
812-3123
Référence fabricant:
SI2337DS-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

2.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

TrenchFET

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.303Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-50°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

2.5W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

11nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

1.4 mm

Height

1.02mm

Standards/Approvals

IEC 61249-2-21

Length

3.04mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Liens connexes