Vishay Si2329DS Type P-Channel MOSFET, -6 A, -8 V, 3-Pin SOT-23 SI2329DS-T1-GE3
- N° de stock RS:
- 256-7347
- Référence fabricant:
- SI2329DS-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 25 unités)*
11,75 €
(TVA exclue)
14,25 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- 1 900 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 0,47 € | 11,75 € |
| 50 - 75 | 0,46 € | 11,50 € |
| 100 - 225 | 0,351 € | 8,78 € |
| 250 - 975 | 0,344 € | 8,60 € |
| 1000 + | 0,214 € | 5,35 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 256-7347
- Référence fabricant:
- SI2329DS-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -6A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -8V | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Series | Si2329DS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.12Ω | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 5 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2.5W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 19.3nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 3.04mm | |
| Width | 1.4 mm | |
| Standards/Approvals | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Height | 1.12mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -6A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -8V | ||
Package Type SOT-23 | ||
Series Si2329DS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.12Ω | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 5 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2.5W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 19.3nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 3.04mm | ||
Width 1.4 mm | ||
Standards/Approvals IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Height 1.12mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay Semiconductor P-channel 8 V 6A (Tc) 2.5W (Tc) surface mount SOT-23-3 (TO-236) halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition.
TrenchFET power mosfet
100 % Rg tested
Compliant to RoHS directive 2002/95/EC
Liens connexes
- Vishay P-Channel MOSFET 8 V SOT-23 SI2329DS-T1-GE3
- Vishay P-Channel MOSFET 30 V SOT-23 SI2393DS-T1-GE3
- Vishay P-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin SOT-23 TP0610K-T1-GE3
- Vishay P-Channel MOSFET 80 V, 3-Pin SOT-23 SI2337DS-T1-GE3
- Vishay P-Channel MOSFET 30 V, 3-Pin SOT-23 SI2343CDS-T1-GE3
- Vishay P-Channel MOSFET 20 V, 3-Pin SOT-23 SI2367DS-T1-GE3
- Vishay P-Channel MOSFET 12 V, 3-Pin SOT-23 SI2333DDS-T1-GE3
- Vishay P-Channel MOSFET 40 V, 3-Pin SOT-23 SI2319CDS-T1-GE3