Vishay Si2377EDS Type P-Channel MOSFET, 3.5 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2377EDS-T1-GE3

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812-3145
Référence fabricant:
SI2377EDS-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

3.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Series

Si2377EDS

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

165mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

0.8V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

8 V

Maximum Power Dissipation Pd

1.8W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

14nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

1.4 mm

Standards/Approvals

No

Height

1.02mm

Length

3.04mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN

P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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