onsemi NTB Type N-Channel MOSFET, 58 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin HPSOF-8L NTBL045N065SC1

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254-7667
Référence fabricant:
NTBL045N065SC1
Fabricant:
onsemi
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Marque

onsemi

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

58A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

HPSOF-8L

Series

NTB

Mount Type

Through Hole

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

22mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

105nC

Maximum Power Dissipation Pd

117W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22 V

Forward Voltage Vf

4.5V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 33 mohm, 650 V, M2, TOLL Silicon Carbide (SiC) MOSFET - 33 mohm, 650 V, M2, TOLL


The ON Semiconductor NTB series of a silicon carbide mosfet uses a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to silicon. In addition with the low on resistance and compact chip size. It ensures a low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include highest efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

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