Références fabricant

onsemi NTB Type N-Channel MOSFET, 58 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263

N° de stock RS:: 254-7664
Référence fabricant:: NTBG060N065SC1
Fabricant:: onsemi

onsemi NTB Type N-Channel MOSFET, 58 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263

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Unité	Prix par unité	la bobine*
800 - 800	5,933 €	4 746,40 €
1600 - 1600	5,814 €	4 651,20 €
2400 +	5,698 €	4 558,40 €

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N° de stock RS:: 254-7664
Référence fabricant:: NTBG060N065SC1
Fabricant:: onsemi

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	58A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	1200V
	Series	NTB
	Package Type	TO-263
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	7
	Maximum Drain Source Resistance Rds	22mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	117W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	74nC
	Forward Voltage Vf	4.5V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	22 V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	AEC-Q101

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	Marque onsemi
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 58A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V
	Series NTB
	Package Type TO-263
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 7
	Maximum Drain Source Resistance Rds 22mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 117W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 74nC
	Forward Voltage Vf 4.5V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 22 V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - NTBG060N065SC1

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L

The ON Semiconductor NTB series of a silicon carbide mosfet uses a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to silicon. In addition with the low on resistance and compact chip size. It ensures a low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include highest efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

Higher system reliability

Ultra low gate charge

High speed switching and low capacitance

onsemi NTB Type N-Channel MOSFET, 58 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263

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Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L

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