onsemi EliteSiC Type N-Channel MOSFET, 77 A, 650 V N, 8-Pin HPSOF-8L NTBL023N065M3S
- N° de stock RS:
- 333-415
- Référence fabricant:
- NTBL023N065M3S
- Fabricant:
- onsemi
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 ruban de 1 unité)*
14,23 €
(TVA exclue)
17,22 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- 1 993 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Ruban(s) | le ruban |
|---|---|
| 1 - 9 | 14,23 € |
| 10 - 99 | 12,82 € |
| 100 + | 11,82 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 333-415
- Référence fabricant:
- NTBL023N065M3S
- Fabricant:
- onsemi
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 77A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | HPSOF-8L | |
| Series | EliteSiC | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 32.6mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 69nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 312W | |
| Forward Voltage Vf | 6V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | Halide Free and RoHS with Exemption 7a, Pb-Free | |
| Width | 10.38 mm | |
| Height | 2.3mm | |
| Length | 9.9mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 77A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type HPSOF-8L | ||
Series EliteSiC | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 32.6mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 69nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 22 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 312W | ||
Forward Voltage Vf 6V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals Halide Free and RoHS with Exemption 7a, Pb-Free | ||
Width 10.38 mm | ||
Height 2.3mm | ||
Length 9.9mm | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- PH
The ON Semiconductor SiC MOSFET optimized for high-efficiency switching applications, offering low conduction losses and robust thermal performance. Its advanced design enhances reliability in demanding power systems while maintaining compact packaging. This device ensures efficient operation with minimal energy dissipation.
H PSOF8L package
RoHS compliant
Pb free
Liens connexes
- onsemi EliteSiC Type N-Channel MOSFET 650 V N, 8-Pin HPSOF-8L NTBL032N065M3S
- onsemi NTBL Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 8-Pin HPSOF-8L NTBL060N065SC1
- onsemi NTBL Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 8-Pin HPSOF-8L NTBL075N065SC1
- onsemi NTB Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin HPSOF-8L
- onsemi NTB Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin HPSOF-8L NTBL045N065SC1
- Infineon CoolMOS C6 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS C6 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW60R041C6FKSA1
- Infineon IMT Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin PG-LHSOF-4 IMTA65R020M2HXTMA1