onsemi EliteSiC Type N-Channel MOSFET, 77 A, 650 V N, 8-Pin HPSOF-8L NTBL023N065M3S
- N° de stock RS:
- 333-415
- Référence fabricant:
- NTBL023N065M3S
- Fabricant:
- onsemi
Offre groupée disponible
Sous-total (1 ruban de 1 unité)*
13,30 €
(TVA exclue)
16,09 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- 1 993 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Ruban(s) | le ruban |
|---|---|
| 1 - 9 | 13,30 € |
| 10 - 99 | 11,96 € |
| 100 + | 11,04 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 333-415
- Référence fabricant:
- NTBL023N065M3S
- Fabricant:
- onsemi
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 77A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | HPSOF-8L | |
| Series | EliteSiC | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 32.6mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 312W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 69nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22 V | |
| Forward Voltage Vf | 6V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 2.3mm | |
| Length | 9.9mm | |
| Width | 10.38 mm | |
| Standards/Approvals | Halide Free and RoHS with Exemption 7a, Pb-Free | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 77A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type HPSOF-8L | ||
Series EliteSiC | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 32.6mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Maximum Power Dissipation Pd 312W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 69nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 22 V | ||
Forward Voltage Vf 6V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 2.3mm | ||
Length 9.9mm | ||
Width 10.38 mm | ||
Standards/Approvals Halide Free and RoHS with Exemption 7a, Pb-Free | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- PH
The ON Semiconductor SiC MOSFET optimized for high-efficiency switching applications, offering low conduction losses and robust thermal performance. Its advanced design enhances reliability in demanding power systems while maintaining compact packaging. This device ensures efficient operation with minimal energy dissipation.
H PSOF8L package
RoHS compliant
Pb free
Liens connexes
- onsemi NTBL SiC N-Channel MOSFET 650 V, 8-Pin H-PSOF8L NTBL060N065SC1
- onsemi NTBL SiC N-Channel MOSFET 650 V, 8-Pin H-PSOF8L NTBL075N065SC1
- onsemi NTBL032 SiC N-Channel MOSFET 650 V, 8-Pin H-PSOF8L NTBL032N065M3S
- onsemi NTBL050N65S N-Channel MOSFET 650 V, 8-Pin H-PSOF8L NTBL050N65S3H
- onsemi SUPERFET III N-Channel MOSFET 650 V, 8-Pin H-PSOF8L NTBL082N65S3HF
- onsemi N-Channel MOSFET 80 V, 8-Pin H-PSOF8L NVBLS1D7N08H
- onsemi N-Channel MOSFET 150 V, 8-Pin H-PSOF8L NTBLS4D0N15MC
- onsemi N-Channel MOSFET 100 V, 8-Pin H-PSOF8L FDBL86066-F085
