Références fabricant

onsemi NTB N-Channel MOSFET, 58 A, 1.2 kV Enhancement, 7-Pin HPSOF-8L NTBL045N065SC1

N° de stock RS:: 254-7666
Référence fabricant:: NTBL045N065SC1
Fabricant:: onsemi

onsemi NTB N-Channel MOSFET, 58 A, 1.2 kV Enhancement, 7-Pin HPSOF-8L NTBL045N065SC1

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 254-7666
Référence fabricant:: NTBL045N065SC1
Fabricant:: onsemi

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	58A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	1.2kV
	Package Type	HPSOF-8L
	Series	NTB
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	7
	Maximum Drain Source Resistance Rds	22mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	4.5V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	117W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	22V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	105nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	AEC-Q101

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	Marque onsemi
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 58A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 1.2kV
	Package Type HPSOF-8L
	Series NTB
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 7
	Maximum Drain Source Resistance Rds 22mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 4.5V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 117W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 22V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 105nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - NTBL045N065SC1

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 33 mohm, 650 V, M2, TOLL Silicon Carbide (SiC) MOSFET - 33 mohm, 650 V, M2, TOLL

The ON Semiconductor NTB series of a silicon carbide mosfet uses a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to silicon. In addition with the low on resistance and compact chip size. It ensures a low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include highest efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

Zero reverse recovery current of body diode

Ultra low gate charge

High speed switching and low capacitance

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