Infineon HEXFET 2 Type P, Type N-Channel MOSFET, 4.7 A, -55 V, 8-Pin SOIC AUIRF7343QTR
- N° de stock RS:
- 243-9288
- Référence fabricant:
- AUIRF7343QTR
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 2 unités)*
4,75 €
(TVA exclue)
5,748 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
Dernier stock RS
- 15 986 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 2,375 € | 4,75 € |
| 20 - 48 | 2,185 € | 4,37 € |
| 50 - 98 | 2,045 € | 4,09 € |
| 100 - 198 | 1,895 € | 3,79 € |
| 200 + | 1,755 € | 3,51 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 243-9288
- Référence fabricant:
- AUIRF7343QTR
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type P, Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 4.7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -55V | |
| Package Type | SOIC | |
| Series | HEXFET | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.11mΩ | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | -1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type P, Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 4.7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -55V | ||
Package Type SOIC | ||
Series HEXFET | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.11mΩ | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf -1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon AUIRF7343QTR specifically designed for Automotive applications, these HEXFET® Power MOSFET's in a Dual SO-8 package utilize the lastest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of these Automotive qualified HEXFET Power MOSFET's are a 150°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating.
Advanced Planar Technology
Ultra Low On-Resistance
Logic Level Gate Drive
Dual N and P Channel MOSFET
Surface Mount
Available in Tape & Reel
150°C Operating Temperature
Lead-Free, RoHS Compliant
Liens connexes
- Infineon HEXFET Dual N/P-Channel-Channel MOSFET 55 V, 8-Pin SOIC AUIRF7343QTR
- Infineon HEXFET Dual P-Channel MOSFET 55 V, 8-Pin SOIC IRF7342TRPBF
- Infineon HEXFET Dual P-Channel MOSFET 55 V, 8-Pin SOIC AUIRF7342QTR
- Infineon HEXFET Dual Silicon P-Channel MOSFET 55 V, 3-Pin D2PAK IRF9Z34NSTRLPBF
- Infineon HEXFET Dual Silicon P-Channel MOSFET 55 V, 3-Pin DPAK IRFR9024NTRLPBF
- Infineon HEXFET Dual P-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin SOIC IRF7316TRPBF
- Infineon HEXFET Dual P-Channel MOSFET 20 V, 8-Pin SOIC IRF7104TRPBF
- Infineon HEXFET Dual P-Channel MOSFET 20 V, 8-Pin SOIC IRF7104PBF