Références fabricant

Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 18 A, 55 V, 3-Pin TO-252

N° de stock RS:: 217-2626
Référence fabricant:: IRFR5505TRLPBF
Fabricant:: Infineon

Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 18 A, 55 V, 3-Pin TO-252

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 217-2626
Référence fabricant:: IRFR5505TRLPBF
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Series	HEXFET
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current (Id)	18 A
	Maximum Drain Source Voltage (Vds)	55 V
	Pin Count	3
	Package Type	TO-252
	Automotive Standard	No
	Height	6.22 mm
	Length	6.73 mm
	Maximum Drain Source Resistance (Rds)	110 mΩ
	Maximum Gate Source Voltage (Vgs)	20 V
	Maximum Operating Temperature	175 °C
	Maximum Power Dissipation (Pd)	57 W
	Minimum Operating Temperature	-55 °C
	Mount Type	Surface
	Standards/Approvals	Lead-Free
	Typical Gate Charge (Qg) @ Vgs	32 nC
	Width	2.39 mm

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Series HEXFET
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current (Id) 18 A
	Maximum Drain Source Voltage (Vds) 55 V
	Pin Count 3
	Package Type TO-252
	Automotive Standard No
	Height 6.22 mm
	Length 6.73 mm
	Maximum Drain Source Resistance (Rds) 110 mΩ
	Maximum Gate Source Voltage (Vgs) 20 V
	Maximum Operating Temperature 175 °C
	Maximum Power Dissipation (Pd) 57 W
	Minimum Operating Temperature -55 °C
	Mount Type Surface
	Standards/Approvals Lead-Free
	Typical Gate Charge (Qg) @ Vgs 32 nC
	Width 2.39 mm

Datasheet - IRFR5505TRLPBF

The Infineon -55V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package.

RoHS Compliant

Low RDS(on)

Industry-leading quality

Dynamic dv/dt Rating

Fast Switching

Fully Avalanche Rated

175°C Operating Temperature

P-Channel MOSFET

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