Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 20 A, 55 V, 3-Pin TO-252

Offre groupée disponible

Sous-total (1 bobine de 2000 unités)*

566,00 €

(TVA exclue)

684,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 2 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
2000 - 20000,283 €566,00 €
4000 +0,276 €552,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
214-4473
Référence fabricant:
IRLR9343TRPBF
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

20A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Package Type

TO-252

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

170mΩ

Maximum Power Dissipation Pd

79W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

47nC

Forward Voltage Vf

-1.2V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

This Infineon Digital Audio HEXFET is specifically designed for Class-D audio amplifier applications. This MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area.

It has repetitive Avalanche Capability for Robustness and Reliability

Liens connexes