Vishay E Type N-Channel MOSFET, 21 A, 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK125N60E-T1-GE3

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Référence fabricant:
SIHK125N60E-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

21A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

E

Package Type

PowerPAK 10 x 12

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.11Ω

Channel Mode

Depletion

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

54nC

Maximum Power Dissipation Pd

132W

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

125°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The Vishay E series is power MOSFET With fast body Diode. This MOSFET used for server and telecom power supply, welding, and motor drives.

4th generation E series technology

Low effective capacitance

Low switching and conduction losses

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