Vishay SIS Type N-Channel MOSFET, 87 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8PT SiSA12BDN-T1-GE3

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

1 065,00 €

(TVA exclue)

1 290,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Dernier stock RS
  • 3 000 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +0,355 €1 065,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
239-5399
Référence fabricant:
SiSA12BDN-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

87A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

SIS

Package Type

PowerPAK 1212-8PT

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0043Ω

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

10nC

Maximum Power Dissipation Pd

52W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

3.3 mm

Length

3.3mm

Height

0.75mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Vishay N channel MOSFET has drain current of 87 A. It is used for high power density DC/DC, synchronous rectification, VRMs and embedded DC/DC, battery protection

100 % Rg and UIS tested

Liens connexes