Vishay SIS Type N-Channel MOSFET, 104 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8PT SISA10BDN-T1-GE3

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Référence fabricant:
SISA10BDN-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

104A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PowerPAK 1212-8PT

Series

SIS

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0036Ω

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

11.7nC

Maximum Power Dissipation Pd

63W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.3mm

Width

3.3 mm

Height

0.75mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Vishay N channel MOSFET has drain current of 104 A. It is used for high power density DC/DC, synchronous rectification, VRMs and embedded DC/DC, battery protection

100 % Rg and UIS tested

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