Vishay E Type N-Channel MOSFET, 47 A, 700 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SQW44N65EF-GE3
- N° de stock RS:
- 228-2977
- Référence fabricant:
- SQW44N65EF-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Sous-total (1 unité)*
7,70 €
(TVA exclue)
9,32 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- Plus 320 unité(s) expédiée(s) à partir du 29 décembre 2025
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 7,70 € |
| 10 - 24 | 7,25 € |
| 25 - 49 | 6,54 € |
| 50 - 99 | 6,17 € |
| 100 + | 5,78 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 228-2977
- Référence fabricant:
- SQW44N65EF-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 47A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 700V | |
| Series | E | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 73mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 500W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 177nC | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 47A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 700V | ||
Series E | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 73mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 500W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 177nC | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Vishay E Series Power MOSFET reduced switching and conduction losses.
Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Low effective capacitance (Co(er))
Liens connexes
- Vishay E Series Dual N-Channel MOSFET 700 V, 3-Pin TO-247AD SQW44N65EF-GE3
- Vishay E Series Dual N-Channel MOSFET 700 V, 3-Pin TO-247AD SQW33N65EF-GE3
- Vishay E Series N-Channel MOSFET 700 V, 3-Pin TO-247AD SQW61N65EF-GE3
- Vishay E-Series N-Channel MOSFET 600 V, 3-Pin D2PAK SIHB053N60E-GE3
- Vishay E Series N-Channel MOSFET 700 V, 3-Pin Super-247 SiHS90N65E-GE3
- Vishay Dual N/P-Channel MOSFET 700 mA 6-Pin SOT-363 SI1553CDL-T1-GE3
- Vishay E Series N-Channel MOSFET 600 V, 3-Pin TO-247AC SiHG47N60E-GE3
- Vishay N-Channel MOSFET 800 V, 3-Pin TO-247AD SIHW21N80AE-GE3
