Vishay E Type N-Channel MOSFET, 34 A, 700 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SQW33N65EF-GE3

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228-2975
Référence fabricant:
SQW33N65EF-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

34A

Maximum Drain Source Voltage Vds

700V

Package Type

TO-247

Series

E

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

109mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

115nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

0.9V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

375W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The Vishay E Series Power MOSFET reduced switching and conduction losses.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

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