Références fabricant

Vishay E Type N-Channel MOSFET, 47 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SiHG47N60E-GE3

N° de stock RS:: 768-9332
Référence fabricant:: SiHG47N60E-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay E Type N-Channel MOSFET, 47 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SiHG47N60E-GE3

Offre groupée disponible

Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 unité)*

9,42 €

(TVA exclue)

11,40 €

(TVA incluse)

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €

En stock

Plus 8 unité(s) expédiée(s) à partir du 03 juin 2026
Plus 8 unité(s) expédiée(s) à partir du 03 juin 2026
Plus 225 unité(s) expédiée(s) à partir du 10 juin 2026

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité	Prix par unité
1 - 9	9,42 €
10 - 24	8,18 €
25 - 49	7,54 €
50 - 99	6,60 €
100 +	5,93 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 768-9332
Référence fabricant:: SiHG47N60E-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	47A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Package Type	TO-247
	Series	E
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	64mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd	357W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	147nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Height	20.7mm
	Length	15.87mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 47A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Package Type TO-247
	Series E
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 64mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd 357W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 147nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Height 20.7mm
	Length 15.87mm
	Automotive Standard No

N-Channel MOSFET, E Series, Low Figure-of-Merit, Vishay Semiconductor

The E Series Power MOSFETs from Vishay are high-voltage transistors featuring ultra-low maximum on-resistance, low figure of merit and fast switching. They are available in a wide range of current ratings. Typical applications include servers and telecom power supplies, LED lighting, flyback converters, power factor correction (PFC) and switch mode power supplies (SMPS).

Features

Low figure-of-merit (FOM) RDS(on) x Qg

Low input capacitance (Ciss)

Low on-resistance (RDS(on))

Ultra-low gate charge (Qg)

Fast switching

Reduced switching and conduction losses

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.