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Vishay E Type N-Channel MOSFET, 47 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SiHG47N60E-GE3

N° de stock RS:: 768-9332
Référence fabricant:: SiHG47N60E-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay E Type N-Channel MOSFET, 47 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SiHG47N60E-GE3

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N° de stock RS:: 768-9332
Référence fabricant:: SiHG47N60E-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

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Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	47A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Package Type	TO-247
	Series	E
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	64mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Power Dissipation Pd	357W
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	147nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	20.7mm
	Length	15.87mm
	Width	5.31mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 47A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Package Type TO-247
	Series E
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 64mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Power Dissipation Pd 357W
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 147nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 20.7mm
	Length 15.87mm
	Width 5.31mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

N-Channel MOSFET, E Series, Low Figure-of-Merit, Vishay Semiconductor

The E Series Power MOSFETs from Vishay are high-voltage transistors featuring ultra-low maximum on-resistance, low figure of merit and fast switching. They are available in a wide range of current ratings. Typical applications include servers and telecom power supplies, LED lighting, flyback converters, power factor correction (PFC) and switch mode power supplies (SMPS).

Features

Low figure-of-merit (FOM) RDS(on) x Qg

Low input capacitance (Ciss)

Low on-resistance (RDS(on))

Ultra-low gate charge (Qg)

Fast switching

Reduced switching and conduction losses

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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