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Vishay E N-Channel MOSFET, 85 A, 700 V Enhancement, 3-Pin Super-247 SiHS90N65E-GE3

N° de stock RS:: 228-2885
Référence fabricant:: SiHS90N65E-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay E N-Channel MOSFET, 85 A, 700 V Enhancement, 3-Pin Super-247 SiHS90N65E-GE3

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N° de stock RS:: 228-2885
Référence fabricant:: SiHS90N65E-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Series	E
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current (Id)	85 A
	Maximum Drain Source Voltage (Vds)	700 V
	Channel Mode	Enhancement
	Pin Count	3
	Package Type	Super-247
	Automotive Standard	No
	Forward Voltage (Vf)	900 mV
	Maximum Drain Source Resistance (Rds)	29 mΩ
	Maximum Gate Source Voltage (Vgs)	20 V
	Maximum Operating Temperature	150 °C
	Maximum Power Dissipation (Pd)	625 W
	Minimum Operating Temperature	-55 °C
	Mount Type	Through Hole, Through Hole
	Standards/Approvals	No
	Typical Gate Charge (Qg) @ Vgs	394 nC

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	Marque Vishay
	Series E
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current (Id) 85 A
	Maximum Drain Source Voltage (Vds) 700 V
	Channel Mode Enhancement
	Pin Count 3
	Package Type Super-247
	Automotive Standard No
	Forward Voltage (Vf) 900 mV
	Maximum Drain Source Resistance (Rds) 29 mΩ
	Maximum Gate Source Voltage (Vgs) 20 V
	Maximum Operating Temperature 150 °C
	Maximum Power Dissipation (Pd) 625 W
	Minimum Operating Temperature -55 °C
	Mount Type Through Hole, Through Hole
	Standards/Approvals No
	Typical Gate Charge (Qg) @ Vgs 394 nC

Datasheet - SiHS90N65E-GE3

The Vishay E Series Power MOSFET reduced switching and conduction losses.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

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