Vishay E Type N-Channel MOSFET, 13 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SIHG15N80AE-GE3

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210-4984
Référence fabricant:
SIHG15N80AE-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

13A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Package Type

TO-247

Series

E

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

304mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

156W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

35nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

15.5 mm

Length

28.6mm

Height

4.6mm

Automotive Standard

No

The Vishay E Series Power MOSFET has TO-247AC package type with 13 A drain current.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

Reduced switching and conduction losses

Avalanche energy rated (UIS)

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