Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 500 A, 30 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SQJ126EP-T1_GE3
- N° de stock RS:
- 228-2950
- Référence fabricant:
- SQJ126EP-T1_GE3
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 5 unités)*
11,10 €
(TVA exclue)
13,45 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
Pénurie d'approvisionnement
- 2 990 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Notre stock actuel est limité et nos fournisseurs s'attendent à des pénuries.
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,22 € | 11,10 € |
| 50 - 120 | 1,888 € | 9,44 € |
| 125 - 245 | 1,776 € | 8,88 € |
| 250 - 495 | 1,668 € | 8,34 € |
| 500 + | 1,444 € | 7,22 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 228-2950
- Référence fabricant:
- SQJ126EP-T1_GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 500A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | SO-8 | |
| Series | TrenchFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.94mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 101nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 500W | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 500A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type SO-8 | ||
Series TrenchFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.94mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 101nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 500W | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Vishay TrenchFET automotive N-channel is 30 V power MOSFET.
100 % Rg and UIS tested
Liens connexes
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 4-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8SW SQRS140EP-T1_GE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SQ9945CEY-T1_GE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8SW SQRS160EP-T1_GE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ742ELP-T1_GE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ742EP-T1_GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SQJ152EP-T1_GE3
- Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SQJ872EP-T1_GE3