Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 500 A, 30 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SQJ126EP-T1_GE3

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228-2950
Référence fabricant:
SQJ126EP-T1_GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

500A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SO-8

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.94mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

101nC

Maximum Power Dissipation Pd

500W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The Vishay TrenchFET automotive N-channel is 30 V power MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

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