Références fabricant

Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 500 A, 30 V Enhancement, 4-Pin SO-8

N° de stock RS:: 228-2949
Référence fabricant:: SQJ126EP-T1_GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 500 A, 30 V Enhancement, 4-Pin SO-8

Pénurie d'approvisionnement

En raison d'une pénurie d'approvisionnement mondial, nous ne savons pas quand ce produit sera à nouveau en stock.

N° de stock RS:: 228-2949
Référence fabricant:: SQJ126EP-T1_GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	500A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Series	TrenchFET
	Package Type	SO-8
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.94mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	500W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	101nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	AEC-Q101

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	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 500A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Series TrenchFET
	Package Type SO-8
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.94mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 500W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 101nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - SQJ126EP-T1_GE3

The Vishay TrenchFET automotive N-channel is 30 V power MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 500 A, 30 V Enhancement, 4-Pin SO-8

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