Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 24.5 A, 150 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SQJ872EP-T1_GE3

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 paquet de 10 unités)*

9,25 €

(TVA exclue)

11,19 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Pénurie d'approvisionnement
  • 2 920 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Notre stock actuel est limité et nos fournisseurs s'attendent à des pénuries.
Unité
Prix par unité
le paquet*
10 +0,925 €9,25 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
178-3903
Référence fabricant:
SQJ872EP-T1_GE3
Fabricant:
Vishay Siliconix
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay Siliconix

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

24.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Series

TrenchFET

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

80mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

14nC

Maximum Power Dissipation Pd

55W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Length

5.99mm

Height

1.07mm

Width

5 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Statut RoHS : Exempté

Pays d'origine :
CN
TrenchFET® power MOSFET

Liens connexes