Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 114 A, 40 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SQJ152EP-T1_GE3

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228-2957
Référence fabricant:
SQJ152EP-T1_GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

114A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

TrenchFET

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

5.1mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

136W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

18nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The Vishay TrenchFET automotive N-channel is 40 V power MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

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