Vishay SiSS76LDN Type N-Channel MOSFET, 67.4 A, 70 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

1 188,00 €

(TVA exclue)

1 437,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Dernier stock RS
  • 6 000 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +0,396 €1 188,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
210-5017
Référence fabricant:
SiSS76LDN-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

67.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

70V

Package Type

PowerPAK 1212

Series

SiSS76LDN

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

5.2mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Power Dissipation Pd

57W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

12 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

22.3nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.4mm

Height

0.83mm

Width

3.4 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay N-Channel 70 V (D-S) MOSFET has PowerPAK 1212-8S package type.

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

Liens connexes