Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 201 A, 25 V Enhancement, 4-Pin SO-8

Voir l’ensemble des MOSFETs
Actuellement indisponible
Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.
N° de stock RS:
228-2889
Référence fabricant:
SiJA22DP-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

201A

Maximum Drain Source Voltage Vds

25V

Package Type

SO-8

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.74mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

83nC

Maximum Power Dissipation Pd

48W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay TrenchFET N-channel is 25 V MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

Liens connexes