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Vishay E N-Channel MOSFET, 5 A, 850 V Enhancement, 3-Pin TO-251 SIHU6N80AE-GE3

N° de stock RS:: 200-6868
Référence fabricant:: SIHU6N80AE-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay E N-Channel MOSFET, 5 A, 850 V Enhancement, 3-Pin TO-251 SIHU6N80AE-GE3

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 200-6868
Référence fabricant:: SIHU6N80AE-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	850V
	Package Type	TO-251
	Series	E
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	950mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	22.5nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	62.5W
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 850V
	Package Type TO-251
	Series E
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 950mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 22.5nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 62.5W
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Document- SIHU6N80AE-GE3

The Vishay SIHU6N80AE-GE3 is a E series power MOSFET.

Low figure-of-merit

Low effective capacitance (Ciss)

Reduced switching and conduction losses

Ultra low gate charge (Qg)

Avalanche energy rated (UIS)

Integrated Zener diode ESD protection

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