Références fabricant

Vishay E Type N-Channel MOSFET, 4.4 A, 850 V Enhancement, 3-Pin TO-252

N° de stock RS:: 228-2851
Référence fabricant:: SiHD5N80AE-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay E Type N-Channel MOSFET, 4.4 A, 850 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

1 236,00 €

(TVA exclue)

1 497,00 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
3000 +	0,412 €	1 236,00 €

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N° de stock RS:: 228-2851
Référence fabricant:: SiHD5N80AE-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	4.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	850V
	Package Type	TO-252
	Series	E
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.35Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	11nC
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd	62.5W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 4.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 850V
	Package Type TO-252
	Series E
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.35Ω
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 11nC
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd 62.5W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - SiHD5N80AE-GE3

The Vishay E Series Power MOSFET reduced switching and conduction losses.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

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