Vishay N-Channel 150 V Type N-Channel MOSFET, 70.2 A, 150 V, 8-Pin SO-8 SiR578DP-T1-RE3

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225-9930
Référence fabricant:
SiR578DP-T1-RE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

70.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Package Type

SO-8

Series

N-Channel 150 V

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

10mΩ

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Power Dissipation Pd

92.5W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

54nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

5.26mm

Length

6.25mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay Siliconix maintains Reliability data for Semiconductor Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

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