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Vishay N-Channel 150 V Type N-Channel MOSFET, 59.7 A, 150 V, 8-Pin SO-8 SIR572DP-T1-RE3

N° de stock RS:: 225-9928
Référence fabricant:: SIR572DP-T1-RE3
Fabricant:: Vishay

Vishay N-Channel 150 V Type N-Channel MOSFET, 59.7 A, 150 V, 8-Pin SO-8 SIR572DP-T1-RE3

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125 - 245	2,038 €	10,19 €
250 - 495	1,912 €	9,56 €
500 +	1,784 €	8,92 €

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N° de stock RS:: 225-9928
Référence fabricant:: SIR572DP-T1-RE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	59.7A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	150V
	Series	N-Channel 150 V
	Package Type	SO-8
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	11.5mΩ
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	92.5W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	54nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Height	5.26mm
	Length	6.25mm
	Automotive Standard	No

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	Marque Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 59.7A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 150V
	Series N-Channel 150 V
	Package Type SO-8
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 11.5mΩ
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 92.5W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 54nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Height 5.26mm
	Length 6.25mm
	Automotive Standard No

Datasheet - SIR572DP-T1-RE3

The Vishay Siliconix maintains Reliability data for Semiconductor Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

Vishay N-Channel 150 V Type N-Channel MOSFET, 59.7 A, 150 V, 8-Pin SO-8 SIR572DP-T1-RE3

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