Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 77.4 A, 150 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiR570DP-T1-RE3

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

14,65 €

(TVA exclue)

17,75 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • Plus 5 975 unité(s) expédiée(s) à partir du 29 décembre 2025
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
5 +2,93 €14,65 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
228-2906
Référence fabricant:
SiR570DP-T1-RE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

77.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Package Type

SO-8

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

7.9mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

46.9nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay TrenchFET N-channel is 150 V MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

Liens connexes