Vishay SiR Type N-Channel MOSFET, 33.8 A, 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR5708DP-T1-RE3

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N° de stock RS:
268-8332
Référence fabricant:
SIR5708DP-T1-RE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

33.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Series

SiR

Package Type

PowerPAK SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.023Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

65.7W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

20nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

5.15mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The Vishay N channel TrenchFET generation 5 power MOSFET is lead Pb and halogen free device. It is used in applications such as synchronous rectification, motor drive control, power supplies.

Very low figure of merit

ROHS compliant

UIS tested 100 percent

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