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Vishay SiR632DP Type N-Channel MOSFET, 29 A, 150 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR632DP-T1-RE3

N° de stock RS:: 134-9723
Référence fabricant:: SIR632DP-T1-RE3
Fabricant:: Vishay

Vishay SiR632DP Type N-Channel MOSFET, 29 A, 150 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR632DP-T1-RE3

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N° de stock RS:: 134-9723
Référence fabricant:: SIR632DP-T1-RE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

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Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	29A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	150V
	Package Type	SO-8
	Series	SiR632DP
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	41mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd	69.5W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	14nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	6.25mm
	Standards/Approvals	No
	Height	1.12mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 29A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 150V
	Package Type SO-8
	Series SiR632DP
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 41mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd 69.5W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 14nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 6.25mm
	Standards/Approvals No
	Height 1.12mm
	Automotive Standard No

N-Channel MOSFET, TrenchFET up to Gen III, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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