Références fabricant

Vishay N-Channel 150 V Type N-Channel MOSFET, 70.2 A, 150 V, 8-Pin SO-8

N° de stock RS:: 225-9929
Référence fabricant:: SiR578DP-T1-RE3
Fabricant:: Vishay

Vishay N-Channel 150 V Type N-Channel MOSFET, 70.2 A, 150 V, 8-Pin SO-8

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

2 178,00 €

(TVA exclue)

2 634,00 €

(TVA incluse)

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Unité	Prix par unité	la bobine*
3000 +	0,726 €	2 178,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 225-9929
Référence fabricant:: SiR578DP-T1-RE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	70.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	150V
	Series	N-Channel 150 V
	Package Type	SO-8
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	10mΩ
	Maximum Power Dissipation Pd	92.5W
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	54nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Length	6.25mm
	Height	5.26mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 70.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 150V
	Series N-Channel 150 V
	Package Type SO-8
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 10mΩ
	Maximum Power Dissipation Pd 92.5W
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 54nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Length 6.25mm
	Height 5.26mm
	Automotive Standard No

Datasheet - SiR578DP-T1-RE3

The Vishay Siliconix maintains Reliability data for Semiconductor Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

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