Vishay EF Type N-Channel MOSFET, 13 A, 800 V, 3-Pin TO-247 SIHG15N80AEF-GE3
- N° de stock RS:
- 225-9914
- Référence fabricant:
- SIHG15N80AEF-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 5 unités)*
15,08 €
(TVA exclue)
18,245 €
(TVA incluse)
Ajouter 25 unités pour bénéficier d'une livraison gratuite
En stock
- 530 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 3,016 € | 15,08 € |
| 50 - 120 | 2,714 € | 13,57 € |
| 125 - 245 | 2,56 € | 12,80 € |
| 250 - 495 | 2,412 € | 12,06 € |
| 500 + | 2,232 € | 11,16 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 225-9914
- Référence fabricant:
- SIHG15N80AEF-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 13A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Series | EF | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 350mΩ | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 156W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 54nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 10.41mm | |
| Length | 6.73mm | |
| Width | 2.39 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 13A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Series EF | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 350mΩ | ||
Maximum Power Dissipation Pd 156W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 54nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 10.41mm | ||
Length 6.73mm | ||
Width 2.39 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay Siliconix maintains Reliability data for Semiconductor Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations.
Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Low effective capacitance (Co(er))
Reduced switching and conduction losses
Avalanche energy rated (UIS)
Liens connexes
- Vishay EF Type N-Channel MOSFET 800 V, 3-Pin TO-247
- Vishay EF Type N-Channel MOSFET 800 V, 3-Pin TO-220 SIHP15N80AEF-GE3
- Vishay EF Type N-Channel MOSFET 800 V, 3-Pin TO-220
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SIHG15N80AE-GE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Vishay EF Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SiHG186N60EF-GE3
- Vishay EF Type N-Channel MOSFET 650 V Depletion, 3-Pin TO-247 SIHG026N60EF-GE3
- Vishay EF Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SiHG33N60EF-GE3