Vishay EF Type N-Channel MOSFET, 8.4 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SiHG186N60EF-GE3

Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

18,36 €

(TVA exclue)

22,215 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En voie de retrait du marché
  • 310 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité
Prix par unité
le paquet*
5 - 203,672 €18,36 €
25 - 453,304 €16,52 €
50 - 1202,902 €14,51 €
125 - 2452,68 €13,40 €
250 +2,314 €11,57 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
210-4988
Référence fabricant:
SiHG186N60EF-GE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

8.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

EF

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

168mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

156W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

21nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

4.58mm

Length

33.91mm

Standards/Approvals

No

Width

15.29 mm

Automotive Standard

No

The Vishay EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode has TO-247AC package type.

4th generation E series technology

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

Reduced switching and conduction losses

Avalanche energy rated (UIS)

Liens connexes