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Vishay EF Type N-Channel MOSFET, 8.4 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SiHG186N60EF-GE3

N° de stock RS:: 210-4988
Référence fabricant:: SiHG186N60EF-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay EF Type N-Channel MOSFET, 8.4 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SiHG186N60EF-GE3

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

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N° de stock RS:: 210-4988
Référence fabricant:: SiHG186N60EF-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	8.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Package Type	TO-247
	Series	EF
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	168mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	21nC
	Maximum Power Dissipation Pd	156W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Height	4.58mm
	Length	33.91mm
	Automotive Standard	No

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	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 8.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Package Type TO-247
	Series EF
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 168mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 21nC
	Maximum Power Dissipation Pd 156W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Height 4.58mm
	Length 33.91mm
	Automotive Standard No

Datasheet - SiHG186N60EF-GE3

The Vishay EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode has TO-247AC package type.

4th generation E series technology

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

Reduced switching and conduction losses

Avalanche energy rated (UIS)

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