Références fabricant

Vishay EF Type N-Channel MOSFET, 33 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SiHG33N60EF-GE3

N° de stock RS:: 903-4484
Référence fabricant:: SiHG33N60EF-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay EF Type N-Channel MOSFET, 33 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SiHG33N60EF-GE3

Offre groupée disponible

Sous-total (1 unité)*

5,10 €

(TVA exclue)

6,17 €

(TVA incluse)

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €

En stock

484 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité	Prix par unité
1 - 9	5,10 €
10 - 24	4,80 €
25 - 49	4,32 €
50 - 99	4,07 €
100 +	3,83 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 903-4484
Référence fabricant:: SiHG33N60EF-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	33A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Series	EF
	Package Type	TO-247
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	98mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	103nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Maximum Power Dissipation Pd	278W
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	15.87mm
	Standards/Approvals	No
	Height	20.82mm
	Width	5.31 mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 33A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Series EF
	Package Type TO-247
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 98mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 103nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Maximum Power Dissipation Pd 278W
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 15.87mm
	Standards/Approvals No
	Height 20.82mm
	Width 5.31 mm
	Automotive Standard No

Pays d'origine :: CN

N-Channel MOSFET with Fast Diode, EF Series, Vishay Semiconductor

Reduced Reverse Recovery Time, Reverse Recovery Charge, and Reverse Recovery Current

Low figure-of-merit (FOM)

Low input capacitance (Ciss)

Increased robustness due to low Reverse Recovery Charge

Ultra low gate charge (Qg)

Vishay EF Type N-Channel MOSFET, 33 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SiHG33N60EF-GE3

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €

N-Channel MOSFET with Fast Diode, EF Series, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Liens connexes