Infineon Dual OptiMOS 2 Type N-Channel MOSFET Arrays, 20 A, 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON IPG20N06S4L26AATMA1
- N° de stock RS:
- 223-8523
- Référence fabricant:
- IPG20N06S4L26AATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 15 unités)*
14,085 €
(TVA exclue)
17,04 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- Plus 4 785 unité(s) expédiée(s) à partir du 16 février 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 0,939 € | 14,09 € |
| 75 - 135 | 0,891 € | 13,37 € |
| 150 - 360 | 0,873 € | 13,10 € |
| 375 - 735 | 0,817 € | 12,26 € |
| 750 + | 0,76 € | 11,40 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 223-8523
- Référence fabricant:
- IPG20N06S4L26AATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET Arrays | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 20A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | TDSON | |
| Series | OptiMOS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 26mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 16 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 33W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 15nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Transistor Configuration | Dual | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 5.15mm | |
| Height | 1mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Width | 5.9 mm | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET Arrays | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 20A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type TDSON | ||
Series OptiMOS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 26mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 16 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 33W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 15nC | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Transistor Configuration Dual | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 5.15mm | ||
Height 1mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Width 5.9 mm | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon OptiMOS series dual N-channel MOSFET has drain to source voltage of 60 V. It has benefits of larger source lead frame connection for wire bonding and bond wire is 200um for up to 20A current.
Automotive AEC Q101 qualified
MSL1 up to 260°C peak reflow
175°C operating temperature
Green package
Ultra low Rds
100% Avalanche tested
Liens connexes
- Infineon Dual OptiMOS 2 Type N-Channel MOSFET Arrays 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon Dual OptiMOS Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon Dual OptiMOS Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 8-Pin TDSON IPG20N06S2L35AATMA1
- Infineon Dual OptiMOS 2 Type N-Channel MOSFET & Diode 100 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon Dual OptiMOS 2 Type N-Channel MOSFET & Diode 100 V Enhancement, 8-Pin TDSON IPG20N10S4L35AATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC097N06NSATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET & Diode 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON