Infineon Dual OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 20 A, 55 V Enhancement, 8-Pin TDSON IPG20N06S2L35AATMA1
- N° de stock RS:
- 258-3877
- Référence fabricant:
- IPG20N06S2L35AATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Sous-total (1 paquet de 5 unités)*
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,74 € | 8,70 € |
| 50 - 120 | 1,568 € | 7,84 € |
| 125 - 245 | 1,464 € | 7,32 € |
| 250 - 495 | 1,358 € | 6,79 € |
| 500 + | 1,132 € | 5,66 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 258-3877
- Référence fabricant:
- IPG20N06S2L35AATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 20A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 55V | |
| Series | OptiMOS | |
| Package Type | TDSON | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 35mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 18nC | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 65W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Transistor Configuration | Dual | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 20A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 55V | ||
Series OptiMOS | ||
Package Type TDSON | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 35mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 18nC | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 65W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Transistor Configuration Dual | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
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