ROHM Dual 2 Type P-Channel MOSFET, 2.5 A, 60 V Enhancement, 7-Pin DFN UT6JC5TCR
- N° de stock RS:
- 223-6398
- Référence fabricant:
- UT6JC5TCR
- Fabricant:
- ROHM
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 25 unités)*
9,625 €
(TVA exclue)
11,65 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 21 mai 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 0,385 € | 9,63 € |
| 50 - 75 | 0,378 € | 9,45 € |
| 100 - 225 | 0,269 € | 6,73 € |
| 250 - 975 | 0,264 € | 6,60 € |
| 1000 + | 0,226 € | 5,65 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 223-6398
- Référence fabricant:
- UT6JC5TCR
- Fabricant:
- ROHM
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 2.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | DFN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.8Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | -1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 6.3nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Transistor Configuration | Dual | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 2 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 0.65mm | |
| Length | 2mm | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 2.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type DFN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.8Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf -1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6.3nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Transistor Configuration Dual | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 2 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 0.65mm | ||
Length 2mm | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM small signal MOSFET has DFN1010-3W package type. It is mainly used for switching circuits, high side loadswitch and relay driver.
Leadless ultra small and exposed drain pad for excellent thermal conduction SMD plastic package
Side wettable Flanks for automated optical solder inspection
AEC-Q101 qualified
Liens connexes
- ROHM Dual P-Channel MOSFET 60 V, 8-Pin DFN2020 UT6JC5TCR
- ROHM P-Channel MOSFET 60 V, 8-Pin DFN2020 RF4L040ATTCR
- ROHM Dual P-Channel MOSFET 40 V, 8-Pin DFN2020 UT6JB5TCR
- ROHM UT6K30 Dual N-Channel MOSFET 60 V HUML2020L UT6K30TCR
- ROHM P-Channel MOSFET 40 V, 8-Pin DFN2020 RF4G060ATTCR
- ROHM Dual P-Channel MOSFET 60 V, 8-Pin SOP SH8JC5TB1
- ROHM TT8J3 Dual P-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin TSST TT8J3TR
- Diodes Inc Dual P-Channel MOSFET 8-Pin DFN2020 DMP2065UFDB-7
