ROHM Dual 2 Type P-Channel MOSFET, 2.5 A, 60 V Enhancement, 7-Pin DFN UT6JC5TCR
- N° de stock RS:
- 223-6398
- Référence fabricant:
- UT6JC5TCR
- Fabricant:
- ROHM
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 25 unités)*
9,625 €
(TVA exclue)
11,65 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 30 octobre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 0,385 € | 9,63 € |
| 50 - 75 | 0,378 € | 9,45 € |
| 100 - 225 | 0,269 € | 6,73 € |
| 250 - 975 | 0,264 € | 6,60 € |
| 1000 + | 0,226 € | 5,65 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 223-6398
- Référence fabricant:
- UT6JC5TCR
- Fabricant:
- ROHM
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 2.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | DFN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.8Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2W | |
| Forward Voltage Vf | -1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 6.3nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Transistor Configuration | Dual | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 2mm | |
| Height | 0.65mm | |
| Width | 2mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 2.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type DFN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.8Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2W | ||
Forward Voltage Vf -1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6.3nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Transistor Configuration Dual | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 2mm | ||
Height 0.65mm | ||
Width 2mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM small signal MOSFET has DFN1010-3W package type. It is mainly used for switching circuits, high side loadswitch and relay driver.
Leadless ultra small and exposed drain pad for excellent thermal conduction SMD plastic package
Side wettable Flanks for automated optical solder inspection
AEC-Q101 qualified
Liens connexes
- ROHM Dual 2 Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 7-Pin DFN UT6JC5TCR
- ROHM Dual 2 Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 7-Pin DFN UT6JB5TCR
- ROHM Dual 2 Type N 7 A 9-Pin DFN
- ROHM Dual 2 Type N 7 A 9-Pin DFN HS8MA2TCR1
- ROHM RF9 Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 7-Pin DFN RF9L120BJFRATCR
- Nexperia Dual Trench MOSFET 2 Type P-Channel Trench MOSFET -20 V Enhancement, 8-Pin DFN
- ROHM UT6MA3 Dual N/P-Channel MOSFET 5.5 A 8-Pin DFN UT6MA3TCR
- Nexperia Dual Trench MOSFET 2 Type P-Channel Trench MOSFET -20 V Enhancement, 8-Pin DFN PMDXB950UPELZ