ROHM RF9 Type P-Channel MOSFET, 12 A, 60 V Enhancement, 7-Pin DFN RF9L120BJFRATCR
- N° de stock RS:
- 265-422
- Référence fabricant:
- RF9L120BJFRATCR
- Fabricant:
- ROHM
Offre groupée disponible
Sous-total (1 ruban de 10 unités)*
5,59 €
(TVA exclue)
6,76 €
(TVA incluse)
Ajouter 150 unités pour bénéficier d'une livraison gratuite
En stock
- 2 980 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le ruban* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,559 € | 5,59 € |
| 100 - 240 | 0,53 € | 5,30 € |
| 250 - 490 | 0,492 € | 4,92 € |
| 500 - 990 | 0,452 € | 4,52 € |
| 1000 + | 0,437 € | 4,37 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 265-422
- Référence fabricant:
- RF9L120BJFRATCR
- Fabricant:
- ROHM
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 12A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | DFN | |
| Series | RF9 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 106mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 15.7nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 23W | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 12A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type DFN | ||
Series RF9 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 106mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 15.7nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 23W | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The ROHM Automotive grade MOSFET is AEC-Q101 qualified, making it an excellent choice for Advanced Driver Assistance Systems, infotainment, lighting, and body applications. Its robust design ensures reliable performance in critical automotive environments.
Pb free plating
RoHS compliant
High power small mould package
Low on resistance
Liens connexes
- ROHM RF9 Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 7-Pin DFN RF9G120BJFRATCR
- ROHM RF9 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 7-Pin DFN RF9G120BKFRATCR
- ROHM Dual 2 Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 7-Pin DFN UT6JC5TCR
- ROHM Type P-Channel MOSFET 60 V P, 8-Pin DFN RF4L040ATTCR
- ROHM BSS84X HZG Type P-Channel MOSFET 60 V P, 3-Pin DFN BSS84XHZGG2CR
- ROHM Dual 2 Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 7-Pin DFN UT6JB5TCR
- ROHM Dual 2 Type N 7 A 9-Pin DFN
- ROHM Dual 2 Type N 7 A 9-Pin DFN HS8MA2TCR1
