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ROHM Dual 2 Type N, Type P-Channel MOSFET, 7 A, 30 V Enhancement, 9-Pin DFN HS8MA2TCR1

N° de stock RS:: 223-6203
Référence fabricant:: HS8MA2TCR1
Fabricant:: ROHM

ROHM Dual 2 Type N, Type P-Channel MOSFET, 7 A, 30 V Enhancement, 9-Pin DFN HS8MA2TCR1

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N° de stock RS:: 223-6203
Référence fabricant:: HS8MA2TCR1
Fabricant:: ROHM

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	ROHM
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N, Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	7A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	DFN
	Mount Type	Surface
	Pin Count	9
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.08Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	7.8nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd	4W
	Transistor Configuration	Dual
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	3.3mm
	Standards/Approvals	No
	Height	0.8mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque ROHM
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N, Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 7A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type DFN
	Mount Type Surface
	Pin Count 9
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.08Ω
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 7.8nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd 4W
	Transistor Configuration Dual
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 3.3mm
	Standards/Approvals No
	Height 0.8mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

Datasheet - HS8MA2TCR1

The ROHM small signal MOSFET has TSMT8 package type. It is mainly used for switching.

Low on - resistance

Small surface mount package

Pb-free plating, RoHS compliant

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