ROHM Dual 2 Type N, Type P-Channel MOSFET, 7 A, 30 V Enhancement, 9-Pin DFN HS8MA2TCR1

Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 25 unités)*

23,40 €

(TVA exclue)

28,325 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Commandes ci-dessous 75,00 € coût (TVA exclue) 5,95 €.
Dernier stock RS
  • 75 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité
Prix par unité
le paquet*
25 - 250,936 €23,40 €
50 - 750,917 €22,93 €
100 - 2250,842 €21,05 €
250 - 4750,826 €20,65 €
500 +0,808 €20,20 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
223-6203
Référence fabricant:
HS8MA2TCR1
Fabricant:
ROHM
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

ROHM

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N, Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

DFN

Mount Type

Surface

Pin Count

9

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.08Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

7.8nC

Maximum Power Dissipation Pd

4W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

-1.2V

Transistor Configuration

Dual

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

0.8mm

Length

3.3mm

Standards/Approvals

No

Width

3.3 mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

The ROHM small signal MOSFET has TSMT8 package type. It is mainly used for switching.

Low on - resistance

Small surface mount package

Pb-free plating, RoHS compliant

Liens connexes