Dual N/P-Channel MOSFET, 5 A, 5.5 A, 20 V, 8-Pin DFN ROHM UT6MA3TCR
- N° de stock RS:
- 133-2954
- Référence fabricant:
- UT6MA3TCR
- Fabricant:
- ROHM
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Prix L'unité (en paquet de 10)
0,454 €
(TVA exclue)
0,549 €
(TVA incluse)
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 0,454 € | 4,54 € |
| 50 - 90 | 0,408 € | 4,08 € |
| 100 - 490 | 0,37 € | 3,70 € |
| 500 - 990 | 0,34 € | 3,40 € |
| 1000 + | 0,314 € | 3,14 € |
*prix conseillé
- N° de stock RS:
- 133-2954
- Référence fabricant:
- UT6MA3TCR
- Fabricant:
- ROHM
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Dual, N-Channel and P-Channel MOSFET, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Spécifications
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Channel Type | N, P |
| Maximum Continuous Drain Current | 5 A, 5.5 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Package Type | DFN |
| Series | UT6MA3 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Pin Count | 8 |
| Maximum Drain Source Resistance | 63 mΩ, 76 mΩ |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.5V |
| Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Transistor Configuration | Dual Base |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 4 nC @ 4.5 V, 6.5 nC @ 4.5 V |
| Width | 2.1mm |
| Length | 2.1mm |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Height | 0.6mm |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |