ROHM Dual 2 Type P-Channel MOSFET, 2.5 A, 60 V Enhancement, 7-Pin DFN UT6JC5TCR

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

939,00 €

(TVA exclue)

1 137,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Informations sur le stock actuellement non accessibles - Veuillez vérifier plus tard
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +0,313 €939,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
223-6397
Référence fabricant:
UT6JC5TCR
Fabricant:
ROHM
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

ROHM

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

2.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

DFN

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.8Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

2W

Forward Voltage Vf

-1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6.3nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Transistor Configuration

Dual

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

0.65mm

Standards/Approvals

No

Width

2 mm

Length

2mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

The ROHM small signal MOSFET has DFN1010-3W package type. It is mainly used for switching circuits, high side loadswitch and relay driver.

Leadless ultra small and exposed drain pad for excellent thermal conduction SMD plastic package

Side wettable Flanks for automated optical solder inspection

AEC-Q101 qualified

Liens connexes