ROHM Dual 2 Type P-Channel MOSFET, 2.5 A, 60 V Enhancement, 7-Pin DFN UT6JC5TCR

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N° de stock RS:
223-6397
Référence fabricant:
UT6JC5TCR
Fabricant:
ROHM
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Marque

ROHM

Transistor Configuration

Dual

Number of Elements per Chip

2

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current (Id)

2.5 A

Maximum Drain Source Voltage (Vds)

60 V

Channel Mode

Enhancement

Pin Count

7

Package Type

DFN

Automotive Standard

No

Forward Voltage (Vf)

-1.2 V

Height

650 μm

Length

2 mm

Maximum Drain Source Resistance (Rds)

2.8 Ω

Maximum Gate Source Voltage (Vgs)

20 V

Maximum Operating Temperature

150 °C

Maximum Power Dissipation (Pd)

2 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Mount Type

Surface

Standards/Approvals

No

Typical Gate Charge (Qg) @ Vgs

6.3 nC

Width

2 mm

The ROHM small signal MOSFET has DFN1010-3W package type. It is mainly used for switching circuits, high side loadswitch and relay driver.

Leadless ultra small and exposed drain pad for excellent thermal conduction SMD plastic package

Side wettable Flanks for automated optical solder inspection

AEC-Q101 qualified

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