Infineon Dual OptiMOS 2 Type N-Channel MOSFET, 5 A, 55 V Enhancement, 8-Pin DSO

Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*

1 842,50 €

(TVA exclue)

2 230,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • 2 500 unité(s) expédiée(s) à partir du 07 janvier 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
2500 +0,737 €1 842,50 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
222-4623
Référence fabricant:
BSO604NS2XUMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Package Type

DSO

Series

OptiMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

35mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

0.9V

Maximum Power Dissipation Pd

2W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

19.7nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Dual

Length

4.9mm

Standards/Approvals

No

Height

1.47mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon design of MOSFETs, also known as MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.

Logic level

Enhancement Mode Green Product (RoHS compliant)

AEC Qualified

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.