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Infineon CoolMOS C3 N-Channel MOSFET, 4 A, 800 V, 3-Pin TO-252 SPD04N80C3ATMA1

N° de stock RS:: 217-2643
Référence fabricant:: SPD04N80C3ATMA1
Fabricant:: Infineon

Infineon CoolMOS C3 N-Channel MOSFET, 4 A, 800 V, 3-Pin TO-252 SPD04N80C3ATMA1

Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*

1 472,50 €

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N° de stock RS:: 217-2643
Référence fabricant:: SPD04N80C3ATMA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	800V
	Package Type	TO-252
	Series	CoolMOS C3
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.3Ω
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	31nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	63W
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	JEDEC, RoHS
	Width	2.41mm
	Height	6.22mm
	Length	6.73mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 800V
	Package Type TO-252
	Series CoolMOS C3
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.3Ω
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 31nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 63W
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals JEDEC, RoHS
	Width 2.41mm
	Height 6.22mm
	Length 6.73mm
	Automotive Standard No

Datasheet - SPD04N80C3ATMA1

The Infineon 800V CoolMOS™ C3 is Infineon's third series of CoolMOS™ with market entry in 2001. C3 is the "working horse" of the portfolio. .

Low specific on-state resistance (RDS(on)*A)

Very low energy storage in output capacitance (Eoss) @400V

Low gate charge (Qg)

Field proven CoolMOS™ quality

CoolMOS™ technology has been manufactured by Infineon since 1998

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