Références fabricant

Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET, 3.9 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252

N° de stock RS:: 214-4395
Référence fabricant:: IPD80R1K4CEATMA1
Fabricant:: Infineon

Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET, 3.9 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*

1 077,50 €

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2500 +	0,431 €	1 077,50 €

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N° de stock RS:: 214-4395
Référence fabricant:: IPD80R1K4CEATMA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	3.9A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	800V
	Package Type	TO-252
	Series	CoolMOS CE
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.4Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	23nC
	Maximum Power Dissipation Pd	63W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Height	2.35mm
	Length	6.65mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 3.9A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 800V
	Package Type TO-252
	Series CoolMOS CE
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.4Ω
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 23nC
	Maximum Power Dissipation Pd 63W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Height 2.35mm
	Length 6.65mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IPD80R1K4CEATMA1

This Infineon 800V Cool MOS CE MOSFET has high voltage capability that combines safety with performance and ruggedness to allow stable designs at highest efficiency level.

It is RoHS compliant

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