Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 2 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- N° de stock RS:
- 214-4478
- Référence fabricant:
- SPD02N80C3ATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*
942,50 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,377 € | 942,50 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 214-4478
- Référence fabricant:
- SPD02N80C3ATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 2A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Series | CoolMOS | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.7Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 16nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 42W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | JEDEC1 | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 2A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Series CoolMOS | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.7Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 16nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 42W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals JEDEC1 | ||
Automotive Standard No | ||
This Infineon Cool MOS MOSFET uses new revolutionary high voltage technology and has high peak current capability.
It has ultra low gate charge
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