Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET, 3.9 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD80R1K4CEATMA1

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214-4396
Référence fabricant:
IPD80R1K4CEATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

3.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Series

CoolMOS CE

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.4Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

23nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

63W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

6.42 mm

Height

2.35mm

Standards/Approvals

No

Length

6.65mm

Automotive Standard

No

This Infineon 800V Cool MOS CE MOSFET has high voltage capability that combines safety with performance and ruggedness to allow stable designs at highest efficiency level.

It is RoHS compliant

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