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Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 12.5 A, 80 V, 6-Pin PQFN IRL80HS120

N° de stock RS:: 217-2640
Référence fabricant:: IRL80HS120
Fabricant:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 12.5 A, 80 V, 6-Pin PQFN IRL80HS120

Sous-total (1 paquet de 20 unités)*

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N° de stock RS:: 217-2640
Référence fabricant:: IRL80HS120
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	12.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	80V
	Series	HEXFET
	Package Type	PQFN
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	42mΩ
	Maximum Power Dissipation Pd	11.5W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	7nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	2.1mm
	Height	2.1mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 12.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 80V
	Series HEXFET
	Package Type PQFN
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 42mΩ
	Maximum Power Dissipation Pd 11.5W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 7nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 2.1mm
	Height 2.1mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - IRL80HS120

The Infineon Available in three different voltage classes (60V, 80V and 100V), Infineon’s new logic level power MOSFETs are highly suitable for wireless charging, telecom and adapter applications. The PQFN 2x2 package is especially suited for high speed switching and form factor critical applications. It enables higher power density and improved efficiency as well as significant space saving.

Lowest FOM (R DS(on) x Q g/gd)

Optimized Q g, C oss, and Q rr for fast switching

Logic level compatibility

Tiny PQFN 2x2mm package

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